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Test-Raster TG3D-3000/600 3-Dimensional für seitliche Kalibrierung, Säulen, unmontiert

Produktinformationen "Test-Raster TG3D-3000/600 3-Dimensional für seitliche Kalibrierung, Säulen, unmontiert"

Das TG3D-3000/600-Raster mit seinem 3-dimensionalen Muster ist für die laterale Kalibrierung des SPM-Scanners, der Erkennung der lateralen Linearitätsabweichung, Hysterese, Kreuz-Kopplungseffekte und Bestimmung der Seitenverhältnisse der Spitze bestimmt. Silizium-Chip mit schachbrettartigem Raster, bestehend aus quadratischen Säulen mit scharfen, unterschnittenen Kanten. Die Höhe beträgt 0,3 - 0,6 µm, die Plateau-Oberfläche beträgt 1,2 µm x 1,2 µm, der Kantenradius ≤ 10 nm. Die Periodizität beträgt 3 µm ± 0,05 µm. Das Raster befindet sich auf dem 5 mm x 5 mm Si-Chip in der Mitte über einen Bereich von 3 mm x 3 mm.

  • 2-D Feld mit 3-D Rechtecksäulen in der obersten Schicht
  • Säulenhöhe ca. 0,3 µm - 0,6 µm
  • Obere 2-D-Säulenabmessung ca. 1,2 µm x 1,2 µm,
    nach unten hin scharf abgesetzte Kanten
  • Eckenradius ≤ 10 nm
  • Periode (pitch) ca. 3 µm +/- 0,05 µm
  • Si-Chip-Größe 5 mm x 5mm x 0,5 mm
  • zentrales Säulenfeld ca. 3 mm x 3 mm
  • Alle Maßangaben sind unkalibriert
  • Nicht auf einem Träger montiert
  • Verpackungseinheit: 1 Stück

 

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Stufenhöhe: 20nm +/- 1,5nm
  • Struktur: Si-Wafer mit SiO2-Schicht zum Gitter / Muster: 1-dimensional (in Richtung der Z-Achse)
  • TGZ-20 Stufenhöhe: 20 nm ± 1,5 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-10
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Stufenhöhe: 20nm +/- 1,5nm
  • Struktur: Si-Wafer mit SiO2-Schicht zum Gitter / Muster: 1-dimensional (in Richtung der Z-Achse)
  • TGZ-20 Stufenhöhe: 20 nm ± 1,5 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-10AFM
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Stufenhöhe: 110nm +/- 2nm
  • Struktur: Si-Wafer mit SiO2-Schicht zum Gitter / Muster: 1-dimensional (in Richtung der Z-Achse)
  • TGZ-100 Stufenhöhe: 110 nm ± 2 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-20
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Stufenhöhe: 110nm +/- 2nm
  • Struktur: Si-Wafer mit SiO2-Schicht zum Gitter / Muster: 1-dimensional (in Richtung der Z-Achse)
  • TGZ-20 Stufenhöhe: 110 nm ± 2 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-20AFM
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  • TGZ-500 Stufenhöhe: 520 nm ± 3 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-30
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  • Struktur: Si-Wafer mit SiO2-Schicht zum Gitter / Muster: 1-dimensional (in Richtung der Z-Achse)
  • TGZ-500 Stufenhöhe: 520 nm ± 3 nm / Pitch (Periodizität): 3 ± 0,01 µm
  • Chip Größe: 5 x 5 x 0,5 mm / effektiver Rasterbereich: Zentrales Quadrat von 3 x 3 mm
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-30AFM
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Träger: unmontiert Verpackungseinheit: 1 Stück
  • Kantenwinkel ca. 70° / Peakhöhe ca. 1,8 µm / Peak-zu-Peak Abstand (pitch) ca. 3 µm +/- 0,01 µm
  • Si-Chipgröße = 5 mm x 5 mm / Effektive (zentrale) Rasterfläche ca. 3 mm x 3 mm
  • Geeignet zum Test der X- oder Y-Achse
  • Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-40
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  • Si-Wafer mit eindimensionalem Dreiecksraster (1-D) in der obersten Schicht 
  • Kantenwinkel ca. 70° / Kantenradius ≤ 10 nm / Peakhöhe ca. 1,8 µm (Peak-zu-Tal, nicht kalibriert)
  • Peak-zu-Peak Abstand (pitch) ca. 3 µm +/- 0,01 µm / Effektive (zentrale) Rasterfläche ca. 3 mm x 3 mm
  • Montiert auf einer 12 mm Durchmesser AFM-Scheibe / Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-40AFM
Test-Raster TGTZ-400 3-Dimensional für Spitzenschärfe, unmontiert
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  • 2-D Feld (2 mm x 2 mm) in der obersten Schicht mit sehr spitzen Peaks, Peakhöhe zwischen 0,3 µm und 0,7 µm
  • Spitzenwinkel ca. 50° / Spitzenradius ≤ 10 nm / 2-D Peak-zu-Peak Abstand ca. 3 µm +/- 0,01 µm
  • Diagonaler Peak-zu-Peak Abstand ca. 2,12 µm / Si-Chip Größe ca. 5 mm x 5 mm x 0,5 mm
  • Nicht auf einem Träger montiert / Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-50
Test-Raster TGTZ-400 3-Dimensional für Spitzenschärfe montiert auf 12mm AFM Scheibe
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  • 2-D Feld (2 mm x 2 mm) in der obersten Schicht mit sehr spitzen Peaks, Peakhöhe zwischen 0,3 µm und 0,7 µm
  • Spitzenwinkel ca. 50° / Spitzenradius ≤ 10 nm / 2-D Peak-zu-Peak Abstand ca. 3 µm +/- 0,01 µm
  • Diagonaler Peak-zu-Peak Abstand ca. 2,12 µm / Si-Chip Größe ca. 5 mm x 5 mm x 0,5 mm
  • Montiert auf einer 12 mm Durchmesser AFM-Scheibe / Verpackungseinheit: 1 Stück
Produktnummer: 629-50AFM