Diese hochwertigen Silizium Wafer eignen sich hervorragend als Substrate für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten in den Bereichen Halbleitertechnik, Dünnschichttechnologie, MEMS, Sensorik und Materialwissenschaften. Die Wafer können direkt als Substrat für Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse verwendet oder mithilfe von Ritz- und Brechwerkzeugen in kleinere Probenstücke zerteilt werden. Jeder Wafer wird sicher in einem Wafer Carrier (Coin-Style) geliefert und ist einseitig hochglanzpoliert, während die Rückseite geätzt ist. Typische Anwendungen Dünnschichtabscheidung Halbleiterforschung Elektronenmikroskopie MEMS-Entwicklung Sensorentwicklung Mikrostrukturierung Photonik Nanotechnologie Oberflächenanalytik Materialwissenschaften Hochwertige Waferqualität Die Wafer verfügen über eine Oberflächenrauheit von nur 2 nm und bieten damit ideale Voraussetzungen für hochpräzise Beschichtungs- und Analyseverfahren. Weitere Qualitätsmerkmale: TTV (Total Thickness Variation): ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Polierte Vorderseite Geätzte Rückseite Die Wafer sind sowohl als P-dotierte (Bor) als auch als N-dotierte (Phosphor) Varianten erhältlich. ✅ Ihre Vorteile Ideal für Forschung und Entwicklung Einseitig hochglanzpoliert Niedrige Oberflächenrauheit von 2 nm Geeignet für Dünnschicht- und Beschichtungsprozesse P- oder N-dotiert verfügbar Perfekt für MEMS und Halbleiteranwendungen Lieferung im schützenden Wafer Carrier 📊 Technische Details Allgemeine Eigenschaften Material: Silizium (Si) Waferdurchmesser:  4" Waferdicke: 505 - 545 µm Orientierung: <100> (Standard) Dotierung: N-Typ (Phosphor) Resistivität: 1–50 Ohm·cm Oxidschicht: Keine SiO₂-Beschichtung Qualitätsparameter Oberflächenrauheit: 2 nm TTV: ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Vorderseite: Poliert Rückseite: Geätzt

Diese hochwertigen Silizium Wafer eignen sich hervorragend als Substrate für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten in den Bereichen Halbleitertechnik, Dünnschichttechnologie, MEMS, Sensorik und Materialwissenschaften. Die Wafer können direkt als Substrat für Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse verwendet oder mithilfe von Ritz- und Brechwerkzeugen in kleinere Probenstücke zerteilt werden. Jeder Wafer wird sicher in einem Wafer Carrier (Coin-Style) geliefert und ist einseitig hochglanzpoliert, während die Rückseite geätzt ist. Typische Anwendungen Dünnschichtabscheidung Halbleiterforschung Elektronenmikroskopie MEMS-Entwicklung Sensorentwicklung Mikrostrukturierung Photonik Nanotechnologie Oberflächenanalytik Materialwissenschaften Hochwertige Waferqualität Die Wafer verfügen über eine Oberflächenrauheit von nur 2 nm und bieten damit ideale Voraussetzungen für hochpräzise Beschichtungs- und Analyseverfahren. Weitere Qualitätsmerkmale: TTV (Total Thickness Variation): ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Polierte Vorderseite Geätzte Rückseite Die Wafer sind sowohl als P-dotierte (Bor) als auch als N-dotierte (Phosphor) Varianten erhältlich. ✅ Ihre Vorteile Ideal für Forschung und Entwicklung Einseitig hochglanzpoliert Niedrige Oberflächenrauheit von 2 nm Geeignet für Dünnschicht- und Beschichtungsprozesse P- oder N-dotiert verfügbar Perfekt für MEMS und Halbleiteranwendungen Lieferung im schützenden Wafer Carrier 📊 Technische Details Allgemeine Eigenschaften Material: Silizium (Si) Waferdurchmesser:  4" Waferdicke: 505 - 545 µm Orientierung: <111> (Standard) Dotierung: P-Typ (Bor) Resistivität: 1–50 Ohm·cm Oxidschicht: Keine SiO₂-Beschichtung Qualitätsparameter Oberflächenrauheit: 2 nm TTV: ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Vorderseite: Poliert Rückseite: Geätzt

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Diese hochwertigen Silizium Wafer eignen sich hervorragend als Substrate für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten in den Bereichen Halbleitertechnik, Dünnschichttechnologie, MEMS, Sensorik und Materialwissenschaften. Die Wafer können direkt als Substrat für Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse verwendet oder mithilfe von Ritz- und Brechwerkzeugen in kleinere Probenstücke zerteilt werden. Jeder Wafer wird sicher in einem Wafer Carrier (Coin-Style) geliefert und ist einseitig hochglanzpoliert, während die Rückseite geätzt ist. Typische Anwendungen Dünnschichtabscheidung Halbleiterforschung Elektronenmikroskopie MEMS-Entwicklung Sensorentwicklung Mikrostrukturierung Photonik Nanotechnologie Oberflächenanalytik Materialwissenschaften Hochwertige Waferqualität Die Wafer verfügen über eine Oberflächenrauheit von nur 2 nm und bieten damit ideale Voraussetzungen für hochpräzise Beschichtungs- und Analyseverfahren. Weitere Qualitätsmerkmale: TTV (Total Thickness Variation): ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Polierte Vorderseite Geätzte Rückseite Die Wafer sind sowohl als P-dotierte (Bor) als auch als N-dotierte (Phosphor) Varianten erhältlich. ✅ Ihre Vorteile Ideal für Forschung und Entwicklung Einseitig hochglanzpoliert Niedrige Oberflächenrauheit von 2 nm Geeignet für Dünnschicht- und Beschichtungsprozesse P- oder N-dotiert verfügbar Perfekt für MEMS und Halbleiteranwendungen Lieferung im schützenden Wafer Carrier 📊 Technische Details Allgemeine Eigenschaften Material: Silizium (Si) Waferdurchmesser:  3"Waferdicke: 330 - 420 µm Orientierung: <100> (Standard) Dotierung: N-Typ (Phosphor) Resistivität: 1–50 Ohm·cm Oxidschicht: Keine SiO₂-Beschichtung Qualitätsparameter Oberflächenrauheit: 2 nm TTV: ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Vorderseite: Poliert Rückseite: Geätzt

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Diese hochwertigen Silizium Wafer eignen sich hervorragend als Substrate für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten in den Bereichen Halbleitertechnik, Dünnschichttechnologie, MEMS, Sensorik und Materialwissenschaften. Die Wafer können direkt als Substrat für Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse verwendet oder mithilfe von Ritz- und Brechwerkzeugen in kleinere Probenstücke zerteilt werden. Jeder Wafer wird sicher in einem Wafer Carrier (Coin-Style) geliefert und ist einseitig hochglanzpoliert, während die Rückseite geätzt ist. Typische Anwendungen Dünnschichtabscheidung Halbleiterforschung Elektronenmikroskopie MEMS-Entwicklung Sensorentwicklung Mikrostrukturierung Photonik Nanotechnologie Oberflächenanalytik Materialwissenschaften Hochwertige Waferqualität Die Wafer verfügen über eine Oberflächenrauheit von nur 2 nm und bieten damit ideale Voraussetzungen für hochpräzise Beschichtungs- und Analyseverfahren. Weitere Qualitätsmerkmale: TTV (Total Thickness Variation): ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Polierte Vorderseite Geätzte Rückseite Die Wafer sind sowohl als P-dotierte (Bor) als auch als N-dotierte (Phosphor) Varianten erhältlich. ✅ Ihre Vorteile Ideal für Forschung und Entwicklung Einseitig hochglanzpoliert Niedrige Oberflächenrauheit von 2 nm Geeignet für Dünnschicht- und Beschichtungsprozesse P- oder N-dotiert verfügbar Perfekt für MEMS und Halbleiteranwendungen Lieferung im schützenden Wafer Carrier 📊 Technische Details Allgemeine Eigenschaften Material: Silizium (Si) Waferdurchmesser:  1" (25,4 mm)Waferdicke: 275 - 305 µm Orientierung: <100> (Standard) <111> bei 3" P-Typ Dotierung: P-Typ (Bor) N-Typ (Phosphor) Resistivität: 1–50 Ohm·cm Oxidschicht: Keine SiO₂-Beschichtung Qualitätsparameter Oberflächenrauheit: 2 nm TTV: ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Vorderseite: Poliert Rückseite: Geätzt

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Diese hochwertigen Silizium Wafer eignen sich hervorragend als Substrate für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten in den Bereichen Halbleitertechnik, Dünnschichttechnologie, MEMS, Sensorik und Materialwissenschaften. Die Wafer können direkt als Substrat für Beschichtungs- und Strukturierungsprozesse verwendet oder mithilfe von Ritz- und Brechwerkzeugen in kleinere Probenstücke zerteilt werden. Jeder Wafer wird sicher in einem Wafer Carrier (Coin-Style) geliefert und ist einseitig hochglanzpoliert, während die Rückseite geätzt ist. Typische Anwendungen Dünnschichtabscheidung Halbleiterforschung Elektronenmikroskopie MEMS-Entwicklung Sensorentwicklung Mikrostrukturierung Photonik Nanotechnologie Oberflächenanalytik Materialwissenschaften Hochwertige Waferqualität Die Wafer verfügen über eine Oberflächenrauheit von nur 2 nm und bieten damit ideale Voraussetzungen für hochpräzise Beschichtungs- und Analyseverfahren. Weitere Qualitätsmerkmale: TTV (Total Thickness Variation): ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Polierte Vorderseite Geätzte Rückseite Die Wafer sind sowohl als P-dotierte (Bor) als auch als N-dotierte (Phosphor) Varianten erhältlich. ✅ Ihre Vorteile Ideal für Forschung und Entwicklung Einseitig hochglanzpoliert Niedrige Oberflächenrauheit von 2 nm Geeignet für Dünnschicht- und Beschichtungsprozesse P- oder N-dotiert verfügbar Perfekt für MEMS und Halbleiteranwendungen Lieferung im schützenden Wafer Carrier 📊 Technische Details Allgemeine Eigenschaften Material: Silizium (Si) Waferdurchmesser:  1" (25,4 mm)Waferdicke: 275 - 305 µm Orientierung: <100> (Standard) <111> bei 3" P-Typ Dotierung: P-Typ (Bor) N-Typ (Phosphor) Resistivität: 1–50 Ohm·cm Oxidschicht: Keine SiO₂-Beschichtung Qualitätsparameter Oberflächenrauheit: 2 nm TTV: ≤ 5 µm Bow/Warp: ≤ 30 µm Vorderseite: Poliert Rückseite: Geätzt