Ultra-Flat 6" - Wafer mit SiO2-Film

Ultra-Flat 6" - Wafer mit SiO2-Film
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Verpackungseinheit

1 Wafer
  • 21620-6
Dieser Wafer mit dem SiO2 Film wird verbreitet in der Halbleiterindustrie, für... mehr
Produktinformationen "Ultra-Flat 6" - Wafer mit SiO2-Film"

Dieser Wafer mit dem SiO2 Film wird verbreitet in der Halbleiterindustrie, für Dünnfilm-Forschung und auch für das Aufwachsen von Zellen verwendet. Zudem ist er ein gutes Substrat für Beobachtungen mit einem AFM und im REM.

Die Parameter lauten:   

  • Orientierung: <100>
  • Widerstand: 1 - 50 Ohm/cm P-Typ / mit Bor dotiert
  • Waferdicke: 675 µm - 695 µm Oberfläche (zur Probe): poliert
  • Oberfläche (rückseitig): geätzt
  • Oberflächenrauheit: typischerweise 2 - 3 Å
  • Ebenheit 1 nach SEMI Standard (über die Länge 57,5 ± 2,5 mm)
  • SiO2 Film-Dicke 200 nm ± 5 %
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