Silizium-Träger, geschnitten

Der 4"-Silizium-Wafer (z.B. 16010) ist auch geschnitten erhältlich. Die vorgereinigten Stücke können zum Beispiel als Substrat für Zellkulturen dienen. Sie sind chemisch inert. P-Typ (Bor dotiert) <100>. Einseitig poliert, Waferdicke ca. 460 µm bis 530 µm (1 - 30 Ohm).

• Orientierung: <100>
• Widerstand: 1-30 Ohm
• Typ: P (Bor)
• Keine SiO2-Deckbeschichtung
• Der Wafer ist einseitig poliert
• Rauheit: 2nm
• Vor dem Würfeln werden sie zur Reinigung in entionisiertem Wasser gespült