Silizium-Wafer mit Orientierung, Typ P (PLANO-Multipack)

Silizium-Wafer mit Orientierung, Typ P (PLANO-Multipack)
512,00 € *

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Verpackungseinheit

10 Stück (PLANO-Multipack)

Aussen - Ø

  • 16011-X
Diese Siliziumwafer mit 1 ", 2", 3 ", 4" und 6 "Durchmesser können entweder als Substrat für die... mehr
Produktinformationen "Silizium-Wafer mit Orientierung, Typ P (PLANO-Multipack)"

Diese Siliziumwafer mit 1 ", 2", 3 ", 4" und 6 "Durchmesser können entweder als Substrat für die Dünnfilmforschung oder zur Herstellung kleinerer Siliziumsubstrate verwendet werden, indem der Wafer mit einem Scriber und dem Wafer Cleaving / Glasbrechzange gebrochen wird. Der Wafer wird in einem Waferträger versandt.

Eigenschaften:

  • Orientierung: <100> für 1 ", 2", 4 "und 6" Wafer <111> für 3 "
  • Widerstand: 1-30 Ohm
  • Typ P: (Bor) (1 Grundwohnung)
  • Keine SiO2-Deckbeschichtung
  • Rauheit: 2nm
  • TTV: = <20 um
  • Wafer ist einseitig poliert

Waferdicke:

  • Ø1 "= 10 - 12 Mill (254 - 304µm)
  • Ø2 "= 9 - 13 Mill (230 - 330µm)
  • Ø3 "= 13,6 - 18,5 Mill. (345 - 470 µm)
  • Ø4 "= 18,7 - 22,6 Mill. (475 - 575 µm)
  • Ø6 "= 23,6 - 25,2 Mill. (600 - 690 µm)
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